檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "應用科技研究所".dept (精準) and ckeyword.raw="層狀半導體"
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本論文探討以化學氣相傳輸法(CVT)成長的高品質六方晶系(2H)二硫化鎢(WS2) 層狀半導體之電傳輸及表面電子結構特性。經由機械剝離法將WS2晶體製作成具有原始表面(non-fresh surfa…
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本研究主要探討以化學氣相傳輸法成長的層狀半導體二硒化鉬(MoSe2)之二維電傳輸特性。首先我們分別用拉曼光譜(Raman spectrum)和X光繞射(X-ray diffraction)量測，證實…
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本論文探討奈米多層結構的二硫化鉬(MoS2)層狀半導體之表面電子聚集效應及其電傳輸特性。本實驗利用機械剝離法產生MoS2奈米結構，發現其電導率與塊材相比高出幾個數量級。透過變溫電導率量測觀察到奈米結…
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論文主要探討表面電洞聚集效應在二硫化鎢(WS2)層狀半導體單晶光電導特性上的作用。實驗上透過比較具有原始表面(Non-fresh surface)與新撕表面(Fresh surface) WS2單晶…
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二硒化錸(ReSe2)是一種獨特的過渡性金屬硫屬化合物層狀半導體，具有明顯的平面內非等向特性，可作為極佳的極化相依光電子元件材料。然而其二維奈米結構的基本電物理與光電導特性至今仍較少被研究，因此本論…